收藏本站

New Product
Si4226DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
25
R DS(on) ( Ω )
0.0195 at V GS = 4.5 V
0.026 at V GS = 2.5 V
I D (A) a, e
8
8
Q g (Typ.)
11
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
APPLICATIONS
? Synchronous Buck Converter
SO-8
D 1
D 2
S 1
1
8
D 1
G 1
S 2
G 2
2
3
4
7
6
5
D 1
D 2
D 2
G 1
G 2
Top V ie w
Orderin g Information: Si4226DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4226DY-T1- GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
S 1
N -Channel MOSFET
S 2
N -Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
25
± 12
8 e
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
7.7
7.5 b, c
6 b, c
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
I DM
30
A
Source-Drain Current Diode Current
Pulsed Source-Drain Current
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I S
I SM
2.6
1.7 b, c
30
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
L = 0.1 mH
I AS
E AS
10
5
mJ
T C = 25 °C
3.2
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2.1
2 b, c
W
T A = 70 °C
1.28 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
50
30
62.5
38
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.
e. Package limited.
Document Number: 69980
S09-0392-Rev. B, 09-Mar-09
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4230DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI4310BDY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 14SOIC
SI4313-B1-FM IC RX FSK 315-915MHZ 20VQFN
SI4320-J1-FT IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP
SI4322-A0-FT IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP
SI4324DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4330-B1-FM IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN
SI4354DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4226DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4228DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
SI4228DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 8A SO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI4228DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25 Volts 8 Amps 3.1 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si4230DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4230DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4231-A0-FM 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4231 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI4232-A0-FM 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4232 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel